MEMS 3D СТРУКТУРЫ

Фоторезист ФП-25 (ТУ 2378-004-29135749-2007)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых интегральных приборов и микросхем с глубинным травлением германия и кремния, гальваническим осаждением металлов.

Наиболее известный отечественный толстослойный фоторезист ФП-25, который обеспечивает высококачественную защиту подложки в процессах глубинного и профильного травления германия и кремния до 100 мкм, а также при гальваническом осаждении металлов.

Фоторезист ФП-25 обладает исключительно высокой адгезией и с трудом подается снятию с подложки после термообработки при температурах свыше 150 0С.

Модификация этого фоторезиста ФП-25МТ имеет высокий контраст и эластичность пленки, что позволяет с успехом использовать взамен импортного аналога SPR 220.

Рекомендации по применению.

Подготовка поверхности.

Для удаления воды с поверхности подложку следует непосредственно перед нанесением фоторезиста прогреть при 200 0С в течение 30 минут и охладить до комнатной температуры.

Условия применения:

Нанесение

1. Распределить 5-10 мл фоторезиста на поверхности и дать растечься в течение 10 сек максимум.

2. Привести во вращение центрифугу. Центрифуга должна обеспечивать достижение скорости вращения 2000 об/мин максимум за 0,3 сек. Время центрифугирования составляет 100-120 сек.

Предварительная сушка

Рекомендуются сушка в термошкафу конвекционного типа с принудительной вентиляцией при температуре 90 0С, с контролем температуры в пределах + 1 0С. Время выдержки: 40 мин.

На промышленных линиях фотолитографии следует подобрать скорость и температуру конвейера так, чтобы обеспечить условия, эквивалентные конвекционному термошкафу.

Экспонирование

Экспонирование ультрафиолетовой лампой в диапазоне 350-450 нм. Время экспонирования: 90-120 сек при освещенности 45.000+50.000 люкс

Проявление

Рекомендуется проявитель УПФ-1Б для максимального контроля над процессом.

Термообработка после проявления Рекомендуются термозадубливание в термошкафу конвекционного типа с принудительной вентиляцией при температуре 120 - 125 0С. Время выдержки: 30 мин. Для более сильных травителей возможно повышение температуры задубливания до 140 0С.

Удаление

Для удаления пленки фоторезиста ФП-25 рекомендуется экологически безопасный сниматель СПР-01Ф или кислородная плазма.

Меры предосторожности

В соответствии с техническими условиями.

Хранение

Хранить в сухом помещении при температурах 10-21 0С в закрытых коричневых стеклянных бутылках. Гарантийный срок хранения - 6 месяцев от даты розлива.

Фоторезист ФП-201