Словарь сокращений в фотолитографии

Мы будем благодарны Вам за помощь в дополнении словаря.
Ваши предложения по расширению словаря и замечания просьба направлять по электронной почте: info@frast.ru

Термин Определение
"Чистая комната" (гермазона) Помещение для работы в микроэлетронике, характеризуется крайне малым количеством пыли воздухе. Например для работы с топологией 1 мкм размеры пылинок не должны быть более 0,3 мкм и их количество не более 3,5 шт/м3.
g-, h- и i-линии Спектр излучения ртутных ламп, используемых для экспонирования фоторезистов содержит три основные линии в ближнем УФ-свете. Эти линии в фотолитографии носят названия g - линия (длина волны 436 нм), h - линия (длина волны 405 нм) и i - линия (длина волны 365 нм)
LOR резист Lift-off-resist. Это резистивный материал используется в технологии обращенной (взрывной) фотолитографии.
Адгезия фоторезиста Усилие, необходимое для отрыва пленки фоторезиста от поверхности, на которую она нанесена. Измеряется в н/м2. Один из ключевых параметров фоторезиста. Характеризует способность фоторезистивной маски сохранять защитные свойства в процессах травления подложки.
Актиничное излучение (освещение) Излучение (лучистая энергия, излучение определенных длин волн), оказывающее тепловое или фотохимическое воздействие на светочувствительный приемник, включая и воздействие на глаза.
Анизотропное травление подложки Процесс, при котором скорость травления подложки в перпендикулярном направлении выше, чем в поперечном. В процессах жидкостного травления процесс является изотропным
Взрывная (обращённая) фотолитография Принципиальное отличие от прямой фотолитографии - отсутствие стадии травления подложки. Обычно применяется при использовании подложек, реагирующих с травителями. В этом способе слой металла напыляется на проявленный рисунок плёнки фоторезиста, после чего остатки фоторезиста удаляются (взрыв). Эта технология получила широкое распространение при изготовлении светодиодов, солнечных элементов и др.
Гальванотехника Область прикладной электрохимии, охватывающая процессы электролитического осаждения металлов на поверхность металлических и неметаллических изделий. Г. включает: гальваностегию - получение на поверхности изделий прочно сцепленных с ней тонких металлических покрытий и гальванопластику - получение легко отделяющихся, относительно толстых, точных копий различных предметов, т. н. матриц.
Глубокий ультрафиолет Или deep ultra violet - DUV занимает диапазон от 248 нм до 121 нм.
Голография (др.-греч. ὅλος ─ полный + γραφή ─ запись, изображение) - набор технологий для точной записи, воспроизведения и переформирования волновых полей.
Задубливание фоторезиста Этот процесс улучшает адгезию и стойкость пленки к травителям. Осуществляется путем нагрева в термошкафу, где удаляется остаточный растворитель и происходит термическое разложение нафтохинондиазида и структурирование пленки фоторезиста.
Интегральная оптика Раздел современной оптики, изучающий процессы генерации, распространения и преобразования света в тонкоплёночных диэлектрических волноводах, а также разработку принципов и методов создания на единой подложке (интеграция) оптических и оптоэлектронных волноводных устройств (лазеров, модуляторов, дефлекторов, переключателей и т. д.).
Кислота Каро Неорганическое соединение относящееся к классу надкислот. Формула: H2SO5. Используется в фотолитографии для очистки кремниевых подложек от микропримесей на поверхности.
Кислотостойкость фоторезиста. Это способность слоя фоторезиста защищать поверхность подложки от воздействия травителя. Один из ключевых параметров фоторезиста. Измеряется в минутах.
Коэффициент фильтруемости фоторезиста, фильтруемость фоторезиста. Параметр, косвенно определяющий наличие механических примесей и/или гелей в фоторезисте. При длительном хранении в фоторезисте образуются гели в результате термохимических реакций.
Мастер-диск Исходная матрица (эталон), представляет собой оригинал изображения в виде металлической пластины, выполненной по технологии гальванопластики из никелевого сплава. Используется для производства оптических дисков.
Мастеринг Производство мастер-дисков, эталонного носителя, копией которого является потребительский носитель
МЕМС структуры Микроэлектромеханические системы (МЭМС) обычно представляют собой интегрированные устройства, выполненные на полупроводниковой (чаще всего - кремниевой) подложке и содержащие механические элементы, сенсоры, актуаторы и электронные компоненты. Типичные размеры микромеханических элементов (компонент системы) лежат в диапазоне от 1 микрометра до 100 микрометров
Нанесение фоторезиста Процесс формирования пленки фоторезиста на подложке.
Наноэлектроника Это область электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 нм.
Негативный фоторезист Фоторезист, у которого экспонированная область не растворяется в проявителе. После экспонирования и проявления фоторезиста на подложке образуется негативное изображение
Новолачные смолы Термопластичные алкил-фенольные смолы, являются основными компонентами плёнкообразующей основы фоторезистов.
Плазмохимическое травление (ПХТ) Является стандартным вариантом сухого изотропного травления подложки. При зажигании емкостного разряда, происходит разложение газовой смеси на электроны, ионы и активные радикалы (плазма). Травление происходит за счет активных радикалов.
Подготовка подложки Комплекс мер обеспечивающих наилучшую адгезию фоторезиста к подложке.
Подложка Основание, на котором формируется топологический рисунок.
Позитивный фоторезист Фоторезист, у которого экспонированная область растворяется в проявителе. После экспонирования и проявления фоторезиста на подложке образуется позитивное изображение
Пороговая светочувствительность Минимальная доза экспонирования фоторезиста УФ - светом, после которой пленка фоторезиста может быть проявлена.
Проявитель буферный Проявитель способный поддерживать заданную концентрацию активного вещества практически до полного истощения
Проявитель фоторезистов Жидкость для проявления скрытого изображения в пленке фоторезиста, образующегося после экспонирования.
Проявитель фоторезистов окрашенный Окрашенный проявитель используется для увеличения контрастности пленки фоторезиста на подложке.
Проявление фоторезиста Процесс удаления "не нужных" участков пленки фоторезиста. Проводится после экспонирования.
Разрешение фоторезиста Минимально достижимое расстояние между двумя линиями фоторезиста на подложке при оптимальных условиях экспонирования и проявления. Важнейший параметр фоторезиста. Современные жидкие фоторезисты обеспечивают разрешение в несколько десятков нанометров
Реактивное ионное травление (РИТ) Способ травления, при котором подложка подвергается физической бомбардировке плазмой. При таком травлении канавки в подложке получаются практически прямоугольными
Резист Полимерный светочувствительный материал, изменяющий свои физико-химические свойства при воздействии УФ - света, рентгеновского излучения или электронного пучка. Базовый материал в электронике. Различают жидкие и сухие (плёночные) фоторезисты. Жидкие фоторезисты используются в микроэлектронике для изготовления микросхем, диодов, транзисторов и др. Сухие пленочные фоторезисты используются для изготовления печатных плат, на которых монтируются радиодетали.
Светочувствительность фоторезиста Количество световой энергии, необходимой для сшивания пленки фоторезиста (негативный фоторезист) или изменения его гидрофобно - гидрофильных свойств (позитивный фоторезист).
Селективное травление Термин, определяющий различные скорости травления разных материалов в одном и том же травителе.
Системы отображения информации Назначение данной системы - это трансляция различных видеосигналов на средства отображения.
Скрайбирование Процесс не сквозной резки подложки. В настоящее время наиболее популярно лазерное и гидролазерное скрайбирование.
Сниматель фоторезиста Жидкость, предназначенная для снятия пленки фоторезиста с подложки.
Солнечная энергетика Направление энергетики, основанное на непосредственном использовании солнечного излучения для получения энергии при помощи фотоэлементов или тепловых машин.
Стойкость пленки фоторезиста Это способность пленки фоторезиста сохранять свои свойства при внешнем воздействии. Например: нагрев, щелочь, кислоты.
Сушка фоторезиста - конвекционный сушильный шкаф, ИК - сушка, горячая плита Оборудование, при помощи которого производится термообработка плёнки фоторезиста.
Толстослойные фоторезисты Это фоторезисты которые дают толстую пленку. Для жидких фоторезистов толщина пленки от 6 мкм
Толщина фоторезиста Это толщина пленки фоторезиста на подложке после нанесения и сушки.
Травление Процесс удаления поверхностного слоя материала подложки, например окиси кремния, в местах незащищенных пленкой фоторезиста
Ультрафиолетовое излучение Электромагнитное излучение, занимающее диапазон между фиолетовым концом видимого излучения и рентгеновским излучением (380 ─ 10 нм, 7,9×1014 ─ 3×1016 Гц). Диапазон условно делят на ближний (380─200 нм) и дальний (вакуумный) (200-10 нм ) ультрафиолет, последний так назван, поскольку интенсивно поглощается атмосферой и исследуется только вакуумными приборами.
Фотогравировка Под фотогравировкой понимается получение топологического рисунка на твердой поверхности методами фотопереноса изображения и последующего травления поверхности подложки. При этом на подложке возникает рельефное изображение.
Фотолитография Фотолитография - метод получения топологии на подложке, широко используется в электронике. Основной способ в планарной технологии, используемой в производстве полупроводниковых приборов.
Фотополимеризующаяся композиция Многокомпонентная смесь, которая имеет способность полимеризоваться под действием светового излучения. Сущность процесса полимеризации заключается в пространственной (трехмерной) сшивке молекул исходного материала с образованием полимерной структуры. В производстве флексографских форм применяются материалы, полимеризующиеся под действием УФ╛излучения. В состав исходной композиции входят фотоинициаторы, сшивающие агенты (олигомеры и/или мономеры) и различные специальные добавки. Фотоинициаторы, поглощая световые фотоны, образуют активные частицы, которые инициируют процесс сшивки (полимеризации) молекул олигомеров и мономеров. Специальные добавки служат для модификации различных характеристик и свойств композиции.
Фоторезист для сетчатого трафарета Фоторезист используемый в технологии сеткотрафаретной печати.
Фоторезист жидкий Жидкие фоторезисты используются в микроэлектронике для изготовления микросхем, диодов, транзисторов и др. см. Резист
Фоторезист сухой пленочный Сухие пленочные фоторезисты используются для изготовления печатных плат, на которых монтируются радиодетали. См. Резист
Фотошаблон В традиционной фотолитографии фотошаблон - это кварцевая или стеклянная пластина, со сформированным на ее поверхности рисунком из материала (в основном хром), не пропускающим УФ - свет. Фотошаблон является одним из основных инструментов при создании топологии защитного покрытия методом фотолитографии.
Фотошаблонная заготовка Это заготовка с нанесенным слоем фоторезиста или электронрезиста для формирования рабочего шаблона.
Хинондиазид Светочувствительный компонент самых распространенных типов позитивных фоторезистов, определяющий его фотохимические свойства
Экспонирование фоторезиста Процесс облучения фоторезиста актиничным электромагнитным излучением

Словарь сокращений в фотолитографии

Сокращение Английский текст Перевод
3D-MEMS 3D-Micro-Electro Mechanical Systems Трехмерные микроэлектромеханические системы
ANSI American National Standart Institute Американский национальный институт стандартов
BARC bottom antireflective coating substrate Антиотражающеее покрытие
CCD Charge Coupled Device Прибор с зарядовой связью (ПЗС)
C-MEMS Carbon MEMS Углеродные микроэлектромеханические системы
CMOS Complementary Metal-Oxide-System Планарный металл-оксидный полупроводник (КМОП структура)
CNT Carbon Nanotubes Углеродные нанотрубки
DRIE Deep Reactive Ion Etching Глубокое реактивное ионное травление
FET Field Effect Transistor Полевой транзистор
GMR Head Giant magneto-resistive Гигантская магниторезистивная го-ловка; головка GMR
HBT Heterojunction Bipolar Transistor Биполярный гетеротранзистор
HVPE Hydride Vapor Phase Epitaxy Эпитаксия из паровой фазы с использованием гидридов
IC Integrated Circuit Интегральная микросхема
ICC Integrated Circuit Card Cмарт-карта
ISO International Organization for Standartisation Международная организация стандартизации
LCD Liquid Crystal Display Жидкокристаллический индикатор (ЖКИ)
LED Light-Emitting Diode Светодиод
LPMOCVD low-pressure metallorganic chemical vapour deposition Осаждение паров металлоорганических соединений при низком давлении
MBE Molecular Beam Epitaxy Молекулярно пучковая эпитаксия
MEMS Micro-ElectroMechanical system Микроэлектромеханические системы
MMIC Monolytic Microwave IC Монолитная интегральная схема
MOCVD metallorganic chemical vapour deposition Осаждение паров металлоорганических соединений
MOS Metal Oxide Semiconductor Структура металл-окисел-полупроводник (МОП)
MOVPE Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Металлоорганическая парофазная эпитаксия (МОС-гидридная технология)
MR Head Magneto-resistive head Mагниторезистивная головка
NA Numbered Aperture Числовая апертура
NEMS Nanoelectromechnical Systems Наноэлектромеханические системы
NIL Nanoimprint Lithography Наноимпринт литография
OLED Organic light emitting diode Органический светодиод
PHEMT Psuedomorphic high electron mobility transistor Псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов
ppb Part per billion Миллиардная часть
ppm Part per million Промиль (миллионная часть)
psi Pound on square inch Фунт на квадратный дюйм (единица давления)
RPM Revolutions Per Minute Число оборотов в минуту
TFT Thin Film Transistor Тонкопленочный транзистор
РСВ Printed Circuit Board Печатная плата