| "Чистая комната" (гермазона) |
Помещение для работы в микроэлетронике, характеризуется крайне малым количеством пыли воздухе.
Например для работы с топологией 1 мкм размеры пылинок не должны быть более 0,3 мкм и их количество не более 3,5 шт/м3. |
| g-, h- и i-линии |
Спектр излучения ртутных ламп, используемых для экспонирования фоторезистов содержит три основные линии в ближнем УФ-свете.
Эти линии в фотолитографии носят названия g - линия (длина волны 436 нм), h - линия (длина волны 405 нм) и i - линия (длина волны 365 нм) |
| LOR резист |
Lift-off-resist. Это резистивный материал используется в технологии обращенной (взрывной) фотолитографии. |
| Адгезия фоторезиста |
Усилие, необходимое для отрыва пленки фоторезиста от поверхности, на которую она нанесена. Измеряется в н/м2.
Один из ключевых параметров фоторезиста. Характеризует способность фоторезистивной маски сохранять защитные свойства в процессах травления подложки.
|
| Актиничное излучение (освещение) |
Излучение (лучистая энергия, излучение определенных длин волн),
оказывающее тепловое или фотохимическое воздействие на светочувствительный приемник, включая и воздействие на глаза. |
| Анизотропное травление подложки |
Процесс, при котором скорость травления подложки в перпендикулярном направлении выше, чем в поперечном.
В процессах жидкостного травления процесс является изотропным |
| Взрывная (обращённая) фотолитография |
Принципиальное отличие от прямой фотолитографии - отсутствие стадии травления подложки. Обычно применяется при использовании подложек,
реагирующих с травителями. В этом способе слой металла напыляется на проявленный рисунок плёнки фоторезиста,
после чего остатки фоторезиста удаляются (взрыв). Эта технология получила широкое распространение при изготовлении светодиодов, солнечных элементов и др. |
| Гальванотехника |
Область прикладной электрохимии, охватывающая процессы электролитического осаждения металлов на поверхность металлических и
неметаллических изделий. Г. включает: гальваностегию - получение на поверхности изделий прочно сцепленных с ней тонких металлических покрытий и гальванопластику
- получение легко отделяющихся, относительно толстых, точных копий различных предметов, т. н. матриц. |
| Глубокий ультрафиолет |
Или deep ultra violet - DUV занимает диапазон от 248 нм до 121 нм. |
| Голография |
(др.-греч. ὅλος ─ полный + γραφή ─ запись, изображение) - набор технологий
для точной записи, воспроизведения и переформирования волновых полей. |
| Задубливание фоторезиста |
Этот процесс улучшает адгезию и стойкость пленки к травителям. Осуществляется путем нагрева в термошкафу, где удаляется
остаточный растворитель и происходит термическое разложение нафтохинондиазида и структурирование пленки фоторезиста. |
| Интегральная оптика |
Раздел современной оптики, изучающий процессы генерации, распространения и преобразования света в тонкоплёночных
диэлектрических волноводах, а также разработку принципов и методов создания на единой подложке (интеграция) оптических и оптоэлектронных
волноводных устройств (лазеров, модуляторов, дефлекторов, переключателей и т. д.). |
| Кислота Каро |
Неорганическое соединение относящееся к классу надкислот. Формула: H2SO5.
Используется в фотолитографии для очистки кремниевых подложек от микропримесей на поверхности. |
| Кислотостойкость фоторезиста. |
Это способность слоя фоторезиста защищать поверхность подложки от воздействия травителя. Один из ключевых параметров
фоторезиста. Измеряется в минутах. |
| Коэффициент фильтруемости фоторезиста, фильтруемость фоторезиста. |
Параметр, косвенно определяющий наличие механических примесей и/или гелей в фоторезисте. При длительном хранении в
фоторезисте образуются гели в результате термохимических реакций. |
| Мастер-диск |
Исходная матрица (эталон), представляет собой оригинал изображения в виде металлической пластины, выполненной по
технологии гальванопластики из никелевого сплава. Используется для производства оптических дисков. |
| Мастеринг |
Производство мастер-дисков, эталонного носителя, копией которого является потребительский носитель |
| МЕМС структуры |
Микроэлектромеханические системы (МЭМС) обычно представляют собой интегрированные устройства, выполненные
на полупроводниковой (чаще всего - кремниевой) подложке и содержащие механические элементы, сенсоры, актуаторы и электронные
компоненты. Типичные размеры микромеханических элементов (компонент системы) лежат в диапазоне от 1 микрометра до 100 микрометров |
| Нанесение фоторезиста |
Процесс формирования пленки фоторезиста на подложке. |
| Наноэлектроника |
Это область электроники, занимающаяся разработкой физических
и технологических основ создания интегральных электронных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 нм. |
| Негативный фоторезист |
Фоторезист, у которого экспонированная область не растворяется в проявителе. После экспонирования и проявления фоторезиста
на подложке образуется негативное изображение |
| Новолачные смолы |
Термопластичные алкил-фенольные смолы, являются основными компонентами плёнкообразующей основы фоторезистов. |
| Плазмохимическое травление (ПХТ) |
Является стандартным вариантом сухого изотропного травления подложки. При зажигании емкостного разряда,
происходит разложение газовой смеси на электроны, ионы и активные радикалы (плазма). Травление происходит за счет активных радикалов. |
| Подготовка подложки |
Комплекс мер обеспечивающих наилучшую адгезию фоторезиста к подложке. |
| Подложка |
Основание, на котором формируется топологический рисунок. |
| Позитивный фоторезист |
Фоторезист, у которого экспонированная область растворяется в проявителе. После экспонирования и проявления фоторезиста на
подложке образуется позитивное изображение |
| Пороговая светочувствительность |
Минимальная доза экспонирования фоторезиста УФ - светом, после которой пленка фоторезиста может быть проявлена. |
| Проявитель буферный |
Проявитель способный поддерживать заданную концентрацию активного вещества практически до полного истощения |
| Проявитель фоторезистов |
Жидкость для проявления скрытого изображения в пленке фоторезиста, образующегося после экспонирования. |
| Проявитель фоторезистов окрашенный |
Окрашенный проявитель используется для увеличения контрастности пленки фоторезиста на подложке. |
| Проявление фоторезиста |
Процесс удаления "не нужных" участков пленки фоторезиста. Проводится после экспонирования. |
| Разрешение фоторезиста |
Минимально достижимое расстояние между двумя линиями фоторезиста на подложке при оптимальных
условиях экспонирования и проявления. Важнейший параметр фоторезиста. Современные жидкие фоторезисты обеспечивают разрешение в несколько десятков
нанометров |
| Реактивное ионное травление (РИТ) |
Способ травления, при котором подложка подвергается физической бомбардировке плазмой. При таком травлении канавки
в подложке получаются практически прямоугольными |
| Резист |
Полимерный светочувствительный материал, изменяющий свои физико-химические свойства при воздействии УФ - света,
рентгеновского излучения или электронного пучка. Базовый материал в электронике. Различают жидкие и сухие (плёночные) фоторезисты.
Жидкие фоторезисты используются в микроэлектронике для изготовления микросхем, диодов, транзисторов и др. Сухие пленочные фоторезисты
используются для изготовления печатных плат, на которых монтируются радиодетали. |
| Светочувствительность фоторезиста |
Количество световой энергии, необходимой для сшивания пленки фоторезиста (негативный фоторезист) или изменения
его гидрофобно - гидрофильных свойств (позитивный фоторезист). |
| Селективное травление |
Термин, определяющий различные скорости травления разных материалов в одном и том же травителе. |
| Системы отображения информации |
Назначение данной системы - это трансляция различных видеосигналов на средства отображения. |
| Скрайбирование |
Процесс не сквозной резки подложки. В настоящее время наиболее популярно лазерное и
гидролазерное скрайбирование. |
| Сниматель фоторезиста |
Жидкость, предназначенная для снятия пленки фоторезиста с подложки. |
| Солнечная энергетика |
Направление энергетики, основанное на непосредственном использовании солнечного излучения
для получения энергии при помощи фотоэлементов или тепловых машин. |
| Стойкость пленки фоторезиста |
Это способность пленки фоторезиста сохранять свои свойства при внешнем воздействии. Например:
нагрев, щелочь, кислоты. |
| Сушка фоторезиста - конвекционный сушильный шкаф, ИК - сушка, горячая плита |
Оборудование, при помощи которого производится термообработка плёнки фоторезиста. |
| Толстослойные фоторезисты |
Это фоторезисты которые дают толстую пленку. Для жидких фоторезистов толщина пленки от 6 мкм |
| Толщина фоторезиста |
Это толщина пленки фоторезиста на подложке после нанесения и сушки. |
| Травление |
Процесс удаления поверхностного слоя материала подложки, например окиси кремния, в местах незащищенных
пленкой фоторезиста |
| Ультрафиолетовое излучение |
Электромагнитное излучение, занимающее диапазон между фиолетовым концом видимого излучения и рентгеновским
излучением (380 ─ 10 нм, 7,9×1014 ─ 3×1016 Гц). Диапазон условно делят на ближний (380─200 нм) и дальний (вакуумный) (200-10 нм
) ультрафиолет, последний так назван, поскольку интенсивно поглощается атмосферой и исследуется только вакуумными приборами. |
| Фотогравировка |
Под фотогравировкой понимается получение топологического рисунка на твердой поверхности методами фотопереноса изображения
и последующего травления поверхности подложки. При этом на подложке возникает рельефное изображение. |
| Фотолитография |
Фотолитография - метод получения топологии на подложке, широко используется в электронике. Основной способ в планарной
технологии, используемой в производстве полупроводниковых приборов. |
| Фотополимеризующаяся композиция |
Многокомпонентная смесь, которая имеет способность полимеризоваться под действием светового излучения. Сущность процесса
полимеризации заключается в пространственной (трехмерной) сшивке молекул исходного материала с образованием полимерной структуры. В производстве
флексографских форм применяются материалы, полимеризующиеся под действием УФ╛излучения. В состав исходной композиции входят фотоинициаторы,
сшивающие агенты (олигомеры и/или мономеры) и различные специальные добавки. Фотоинициаторы, поглощая световые фотоны, образуют активные частицы,
которые инициируют процесс сшивки (полимеризации) молекул олигомеров и мономеров. Специальные добавки служат для модификации различных
характеристик и свойств композиции. |
| Фоторезист для сетчатого трафарета |
Фоторезист используемый в технологии сеткотрафаретной печати. |
| Фоторезист жидкий |
Жидкие фоторезисты используются в микроэлектронике для изготовления микросхем, диодов, транзисторов и др.
см. Резист |
| Фоторезист сухой пленочный |
Сухие пленочные фоторезисты используются для изготовления печатных плат, на которых монтируются радиодетали. См.
Резист |
| Фотошаблон |
В традиционной фотолитографии фотошаблон - это кварцевая или стеклянная пластина, со сформированным на
ее поверхности рисунком из материала (в основном хром), не пропускающим УФ - свет. Фотошаблон является одним из основных инструментов
при создании топологии защитного покрытия методом фотолитографии. |
| Фотошаблонная заготовка |
Это заготовка с нанесенным слоем фоторезиста или электронрезиста для формирования рабочего шаблона. |
| Хинондиазид |
Светочувствительный компонент самых распространенных типов позитивных фоторезистов,
определяющий его фотохимические свойства |
| Экспонирование фоторезиста |
Процесс облучения фоторезиста актиничным электромагнитным излучением |
