|
||||||||||||||
ОчисткаЕсли поверхность является чистой (кремний со свежим окислом), то достаточно прогреть подложку при 120 - 140 0С в течение нескольких минут для удаления абсорбированных молекул воды. Нанесение фоторезиста следует осуществить немедленно после охлаждения подложки, чтобы избежать реабсорбции воды. Поверхность, загрязненная частицами и/или органическими веществами, можно промыть сначала ацетоном, а затем изопропиловым спиртом. Ацетон удаляет органические вещества, а изопропиловый спирт удаляет загрязненный ацетон. Оба растворителя должны быть класса ОСЧ. Травитель Каро и RCA очисткаВ случае значительных загрязнений органическими веществами или металлами кремниевую подложку следует многоступенчато очистить кислотой Каро (Пиранья-травление) и затем подвергнуть очистке смесями RCA (Radio Corporation of America)
Следует отметить, что после каждой стадии очистки необходимо осуществлять тщательную отмывку пластин деионизованной водой. Адгезия фоторезиста после травления окиси кремния в HFПосле стравливания окиси кремния (SiO2) погружением в раствор HF адгезия фоторезиста сильно зависит от полноты удаления окисла кремния. При полном удалении SiO2 поверхность чистого кремния проявляет очень хорошую адгезию, в то время как остаточный окисел кремния приводит к очень плохой и не воспроизводимой адгезии. Адгезия может быть восстановлена нагреванием пластины до температур свыше 700 0С Адгезия фоторезиста на металлахМеталлы, такие как алюминий и титан проявляют очень хорошую адгезию к резисту, тогда как смачивание и адгезия фоторезиста на благородных металлах часто является плохой. В этих случаях следует использовать фоторезисты типа ФП-383 или ФП-25 с повышенной адгезией. Промотирование адгезииНа поверхности SiO2 и многих металлов абсорбируется вода из атмосферы и образованием полярных физически связанных OH - групп. Такие группы являются гидрофильными, т.е. хорошо смачиваются водой, но не смачиваются неполярными резистами. Сущность промотирования адгезии состоит в проведении химической реакции гидроксильных OH - групп на поверхности подложки с промотором адгезии, например с гексаметилдисилазаном (CH3)3SiNHSi(CH3)3 (ГМДС). При обработке ГМДС OH - группы замещаются на группы О-Si(CH3)3 и поверхность становится гидрофобной, обеспечивая очень хорошую адгезию фоторезиста. Важно корректно проводить обработку ГМДС подложки. Как правило, в промышленности при массовом производстве эта реакция проводится в автоматическом режиме с помощью потока азота (N2) осушенного и насыщенного ГМДС через камеру с подложкой, нагретой до 80-120 0С. Для улучшения адгезии фоторезиста мы предлагаем Усилитель адгезии фоторезистов Сил-А-01 - прайм-агент для обработки поверхности окисленных кремниевых подложек перед нанесением жидких фоторезистов. Для обработки необходимо:
|
||
|
|||||||||||||
|
||||