|
||||||||||||||
При выборе способа нанесения фоторезиста необходимо руководствоваться следующими исходными данными:
Следует рассмотреть три основных метода нанесения Нанесение центрифугойНесколько миллилитров резиста наливается на поверхность подложки, закрепленной на центрифуге. Центрифуга приводится во вращение с числом оборотов 2-6 тысяч в минуту. Через 10-30 секунд на подложке формируется пленка резиста. Центрифугирование обеспечивает высокую однородность толщины пленки. Поэтому центрифугирование является наиболее распространенной техникой в микроэлектронике. К недостаткам центрифугирования относятся:
Все предлагаемые нами фоторезисты могут наноситься центрифугированием. Нанесение распылениемФоторезист может наноситься на подложку путем распыления тончайших капель через форсунку или ультразвуковую головку под давлением азота. Преимуществом аэрозольного распыления фоторезиста является возможность покрытия поверхности произвольного размера и формы. Аэрозольное распыление позволяет покрыть поверхность практически с любой текстурой. Главным недостатком аэрозольного распыления является относительно высокая неоднородность пленки резиста по толщине слоя. Если при центрифугировании разнотолщинность пленки не превышает 10 нм, то при распылении разнотолщинность слоя достигает 1 мкм. Однако для многих процессов этого достаточно. Например, для изготовления печатных плат вполне достаточна разнотощинность на уровне 1 мкм . В любительской практике для нанесения распылением используется фоторезист в аэрозольной упаковке , в промышленности фоторезист ФП-РН-7Сэ. Нанесение окунаниемПодложка вытягивается с определенной скоростью из резервуара, наполненного резистом. Чем ниже скорость вытягивания, тем меньше толщина пленки. Этот метод является основным в производстве офсетных пластин для полиграфии. Очевидным преимуществом метода окунания является возможность покрытия резистом поверхностей произвольного размера. Образующаяся пленка является очень гладкой, хотя толщина пленки может меняться существенно по поверхности подложки. Потери резиста являются минимальными (если не учитывать 50% расхода резиста, идущего на покрытие задней стороны подложки). К недостаткам метода окунания следует отнести необходимость заполнения фоторезистом изначально резервуара достаточно большого объема. Методом окунания может наноситься фоторезист ФП-ПЛ5 и фоторезист ФН-11 С-ФД |
||
|
|||||||||||||
|
||||