|
Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве
полупроводниковых интегральных приборов и микросхем с глубинным травлением
германия и кремния, гальваническим осаждением металлов.
|
1
|
Внешний вид фоторезиста
|
Жидкость красно-корич цвета без осадка
|
|
2
|
Внешний вид пленки фоторезиста
|
Гладкая без разрывов
|
|
3
|
Разрешающая способность, мкм, не более
|
20,0
|
|
4
|
Толщина пленки фоторезиста, мкм
|
6 - 8
|
|
5
|
Устойчивость пленки фоторезиста к травителю для кремния
(HF+HNO3+CH3COOH - 1:10:1), не менее, минут
|
14,0
|
|
6
|
Рекомендуемый проявитель
|
УПФ-1Б
|
Рекомендации по применению
ТУ 2378-004-29135749-2007 на ФП-25 в формате PDF, 435 кБ
Фоторезист ФП-201
|
1
|
Внешний вид фоторезиста
|
Жидкость красно-корич цвета без осадка
|
|
2
|
Внешний вид пленки фоторезиста
|
Гладкая без разрывов
|
|
3
|
Разрешающая способность, мкм, не более
|
20,0
|
|
4
|
Толщина пленки фоторезиста, мкм
|
6 - 8
|
|
5
|
Устойчивость пленки фоторезиста к
травителю для кремния (HF+HNO3+CH3COOH
- 2:5:3), не менее, минут
|
6,0
|
|
6
|
Устойчивость пленки фоторезиста к
проявителю, мин, не менее
|
60,0
|
|
6
|
Рекомендуемый проявитель
|
УПФ-1Б
|
|
