ФРАСТ-МЗакрытое Акционерное Общество НачалоОтправить письмо
---
---
|
|
---

ОБЩАЯ ИНСТРУКЦИЯ ПО ПРИМЕНЕНИЮ ПОЗИТИВНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ

  • ПОДГОТОВКА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ
    Если поверхность кремния сильно загрязнена, приходится использовать сильнодействующие кислоты Для подложек со свежеокисленным кремнием достаточно подложку непосредственно перед нанесением фоторезиста прогреть при 200 0C в течение 30 минут и охладить до комнатной температуры.
  • НАНЕСЕНИЕ НА ПОДЛОЖКУ
    Внимание! Перед нанесением на подложку раствор фоторезиста необходимо выдержать в климатических условиях гермозоны минимум 2 часа.
    В зависимости от размера подложки распределить 3-5 мл фоторезиста по поверхности подложки и дать растечься в течение 2 сек. Привести во вращение центрифугу до 3000 об/мин. Центрифуга должна обеспечивать достижение скорости вращения 3000 об/мин максимум за 0,3 сек.
    Внимание! скорость вращения центрифуги для толстых позитивных фоторезистов типа ФП-25, ФП-201 указана в технических условиях.
    Время центрифугирования составляет 25-30 сек. На подложке формируется пленка фоторезиста.
  • ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ СУШКА ПЛЕНКИ ПЕРЕД ЭКСПОНИРОВАНИЕМ
    Рекомендуется сушка в термошкафу с принудительной вентиляцией при температуре 95 0С, с контролем температуры в пределах ± 1 0С. Время выдержки составляет 30 мин. На промышленных линиях фотолитографии следует подобрать скорость и температуру конвейера так, чтобы обеспечить условия, эквивалентные конвекционному термошкафу.
  • ЭКСПОНИРОВАНИЕ
    Экспонирование ртутной лампой высокого давления, излучающий в диапазоне ультрафиолетового света 350-450 нм. Время экспонирования зависит от мощности лампы, от типа установки экспонирования, от времени старения лампы. Целесообразно использовать УФ-дозиметры для контроля интенсивности падающего на подложку УФ-света.
    Время экспонирования зависит также от толщины пленки. Следует также иметь в виду, что время экспонирования несколько меняется от партии к партии фоторезиста. На практике, время экспонирования подбирается экспериментально.
  • ПРОЯВЛЕНИЕ
    Рекомендуется проявитель УПФ-1Б для максимального контроля над процессами экспонирования и проявления. Важно подчеркнуть, что время проявления не должно превышать 45 сек. Если пленка не проявляется в течении 45 сек, следует увеличить время экспонирования.
  • ТЕРМООБРАБОТКА ПОСЛЕ ПРОЯВЛЕНИЯ (ТЕРМОЗАДУБЛИВАНИЕ)
    Термообработка необходима для увеличения стойкости пленки фоторезиста в процессах жидкостного и сухого травления.
    Рекомендуются термообработка в термическом шкафу конвекционного типа с принудительной вентиляцией при температуре 120 - 125 0С. Время выдержки: 30 мин. Для более сильных травителей возможно повышение температуры задубливания до 135 0С.
  • СНЯТИЕ ПЛЕНКИ
    Для удаления пленок позитивных фоторезистов рекомендуется экологически безопасный сниматель СПР-01Ф или кислородная плазма.
  • МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ, КЛАСС ОПАСНОСТИ, УТИЛИЗАЦИЯ
    В соответствии с техническими условиями и сертификатом безопасности на соответствующий фоторезист.
  • ХРАНЕНИЕ
    Хранить фоторезист в сухом помещении при температуре в пределах 10-21 0С в исходных, плотно закрытых, коричневых стеклянных бутылках. Гарантийный срок хранения зависит от марки фоторезиста и указывается в паспорте.
  • ПЕРЕВОЗКА ФОТОРЕЗИСТА
    Перевозка наших фоторезистов разрешается исключительно в фирменной, четырехслойной, безопасной упаковке для фоторезистов. Данная упаковка выдерживает однократное падение с высоты 80 см.
---
|
|
---
---
Plant.ruTopListSpyLOG