ОБЩАЯ ИНСТРУКЦИЯ ПО ПРИМЕНЕНИЮ НЕГАТИВНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ ФН-11Сн/Кн/ФД/МФ

• ПОДГОТОВКА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ
  Если поверхность кремния сильно загрязнена, приходится использовать сильнодействующие кислоты Для подложек со свежеокисленным кремнием достаточно подложку непосредственно перед нанесением фоторезиста прогреть при 200 ⁰C в течение 30 минут и охладить до комнатной температуры.
• НАНЕСЕНИЕ НА ПОДЛОЖКУ
  Внимание! Перед нанесением на подложку раствор фоторезиста необходимо выдержать в климатических условиях гермозоны минимум 2 часа.
  В зависимости от размера подложки распределить 3-5 мл фоторезиста по поверхности подложки и дать растечься в течение 2 сек. Привести во вращение центрифугу до 1000 об/мин. Время центрифугирования составляет 25-30 сек. На подложке формируется пленка фоторезиста.
• ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ СУШКА ПЛЕНКИ ПЕРЕД ЭКСПОНИРОВАНИЕМ
  Рекомендуется сушка в термошкафу с принудительной вентиляцией при температуре 95 ⁰С, с контролем температуры в пределах ± 1 0С. Время выдержки составляет 30 мин. На промышленных линиях фотолитографии следует подобрать скорость и температуру конвейера так, чтобы обеспечить условия, эквивалентные конвекционному термошкафу.
• ЭКСПОНИРОВАНИЕ
  Экспонирование осуществляется лампой, излучающей в диапазоне света 300-400 нм. Время экспонирования зависит от типа источника экспонирования, величины освещенности, материала фотошаблона и толщины пленки фоторезиста. Оптимальное время экспонирования подбирается экспериментально. Справочные данные: при использовании в качестве источника облучения лампы ДРШ-350 и освещенности на пластине 40.000 - 50.000 люкс время экспонирования составляет 5-20 сек.
  Внимание освещенность в плоскости экспонирования должна быть не менее 40.000-50.000 люкс!
• ПРОЯВЛЕНИЕ
  После экспонирования пленку проявляют в течение 30-120 сек. Для чистого проявления рекомендуется использовать проявители для негативных фоторезистов УНФ-01 или УНФ-02. На проявленных элементах не должно оставаться следов фоторезиста.
• ОПОЛАСКИВАНИЕ
  Проявленную пленку ополаскивают в чистом о-ксилоле и затем в изопропиловом спирте.
• ЗАДУБЛИВАНИЕ
  Проявленную пленку фоторезиста задубливают при температуре 120 ⁰С в течение 30 мин.
• ТРАВЛЕНИЕ
  Травитель и время травления подбирается экспериментально для каждого конкретного материала.
• СНЯТИЕ ФОТОРЕЗИСТА
  Для снятия сильно задубленных пленок негативных фоторезистов используется жидкость "Форсан-2". Если задубливание пленки негативного фоторезиста не проводилось, то можно использовать для снятия нагретый о-ксилол в соответствии техникой 4-х ванн.
  Примечание: Отдельные стадии фотолитографии могут варьироваться в зависимости от конкретных технологических условий.