|
ОТЧЁТ ПО ОПРОБОВАНИЮ ФОТОРЕЗИСТА ФП-3515 ПРЕДПРИЯТИЕМ ЭЛЕКТРОНИКИ
Проведено опробование фоторезиста ФП-3515. Получены следующие результаты:
1. Замер толщины фоторезиста проводился на MPV-SP. Результаты в таблице 1:
| 1 |
2355 |
1800 |
1367 |
1134 |
| 2 |
2393 |
1811 |
1352 |
1175 |
| 3 |
2405 |
1823 |
1357 |
1163 |
| 4 |
23695 |
1793 |
1354 |
1160 |
| 5 |
2372 |
1836 |
1348 |
1153 |
| среднее |
2378,8 |
1812,6 |
1355,6 |
1157 |
| разброс, нм |
50 |
42 |
19 |
41 |
| разброс, % |
2,1 |
2,3 |
1,4 |
3,5 |
* толщина в нм
Значения толщин и разброс соответствует серийно используемому фоторезисту
2. 25 апреля 2018г. проведено нанесение фоторезиста на 9 пл. партии № 722 изделия
серии TVS (фотогравировка "Р глубокий") в технологических режимах. (Т=1100C, 45")
3. Экспонирование проводилось на установке ЭМ-584А № 6. Подбор режимов дал следующие результаты:
| Экспозиция первого проявленого модуля |
30 |
| Экспозиция партии |
36 |
| неконтраст, % |
40 |
| Серийно используемый ф/р |
остальные |
| Экспозиция первого проявленого модуля |
16 |
| Экспозиция партии |
20 |
| неконтраст, % |
12,5 |
Использование рекомендованного 1 % КОН показал улучшение светочувствительности и неконтраста:
| партия |
№ 804 |
Р глубокий |
ЭМ-584А № 5 |
|
| ФП-3515 |
№ 31 33 17 |
| первый проявленный модуль |
45 |
1 % КОН |
| экспозиция на партии |
55 |
| неконтраст, % |
20,0 |
| Серийно используемый ф/р |
остальные |
| первый проявленный модуль |
45 |
1 % КОН |
| экспозиция на партии |
55 |
| неконтраст, % |
13.3 |
4. Полученная фотрезистивная маска удовлетворяет требованиям технологической карты выходного контроля.
5. Травление SiO2 (20´) прошло без отклонений.
6. Проведённый сравнительный анализ пористости плёнки дал следующие результат:
| 7 |
ФП-3515 |
4,2 |
0,2 |
| 9 |
Серийно используемый ф/р |
2,4 |
0,1 |
Выводы:
- Фоторезист ФП-3515 соответствует серийно используемому и может быть использован при отсутствии последнего.
- Окончательный вывод возможен после массового применения, в том числе и на КФЛ.
|
