ФРАСТ-МЗакрытое Акционерное Общество НачалоОтправить письмо
---
---
|
|
---

Фоторезист ФП-25 (ТУ 2378-004-29135749-2007)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых интегральных приборов и микросхем с глубинным травлением германия и кремния, гальваническим осаждением металлов.

No Характеристики Норма
1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка
2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов
3 Разрешающая способность, мкм, не более 20,0
4 Толщина пленки фоторезиста, мкм 6 - 8
5 Устойчивость пленки фоторезиста к травителю для кремния (HF+HNO3+CH3COOH - 1:10:1), не менее, минут 14,0
6 Рекомендуемый проявитель УПФ-1Б

 

Рекомендации по применению
ТУ 2378-004-29135749-2007 на ФП-25 в формате PDF, 435 кБ

Фоторезист ФП-201

No Характеристики Норма
1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка
2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов
3 Разрешающая способность, мкм, не более 20,0
4 Толщина пленки фоторезиста, мкм 6 - 8
5 Устойчивость пленки фоторезиста к травителю для кремния (HF+HNO3+CH3COOH - 2:5:3), не менее, минут 6,0
6 Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин, не менее 60,0
6 Рекомендуемый проявитель УПФ-1Б

 

---
|
|
---
---
Plant.ruTopListSpyLOG