ФГУП НПП "Пульсар" г. Москва

Сообщаем Вам дополнительную информацию о испытания фоторезиста ФПН-20-ИЗО.

При нанесении на центрифуге со скоростью вращения 4000 об/сек толщина фоторезиста составила 1,9 мкм. На данной толщине успешно проведена технологическая операция "взрыва" пленки Ti/Au толщиной 0,18 мкм.

ОАО "Сатурн" г. Краснодар

Фоторезист ФПН-20-ИЗО прошел опробацию в технологическом маршруте изготовления ФП, включающем взрывной метод формирования контактов.

Выбранный нами оптимальный режим формирования маски:

1. Нанесение на центрифуге, 2000 об/мин
2. Сушка конвекционно-контактная, 95⁰, t=40 мин.
3. Экспонирование на установке ЭМ-576 с лампой ДРШ-350, t=30 сек.
4. Сушка конвекционно-контактная, 115⁰, t=30 мин.
5. Сплошная засветка, t=2 мин.
6. Проявление (в растворе УФП-1Б 1:3), t=1,5 мин

Полученный рисунок после выполнения операций 1-6 имел четкую конфигурацию края с отрицательным профилем, толщина маски ~ 1,4 мкм.

ОАО "НПП "РАДИЙ" г. Москва

Сообщаем Вам, о результатах опробования фоторезиста ФПН-20-ИЗО:

1. Для получения элементов с размером 2 микрона были проведены опытные работы для получения обращенной фоторезистивной маски с последующим напылением многослойной металлизации типа AuGe-Ni-Au и "взрывом" металла в диметилформамиде.

   Толщина металлизации составляла до 0,5 мкм.

   Разброс получаемой нами толщины маски обращенного фоторезиста составила 1,6-1,9 мкм

   Были получены образцы пластин с четким краем металлизированных элементов и искажения не наблюдалось.

2. Фоторезист ФПН-20-ИЗО ("обращенный" вариант) использовался нами так же. Как маска при травлении рельефа на пластинах арсенида галлия, глубиной до 1,5 мкм в перекисно-аммиачном травителе, при этом "растравливания" элементов и искажения рисунка - не наблюдалось.

   Так же опробована маска из обращенного ФПН-20-ИЗО при локальном травлении пленок SiO₂. И в этом применении ФПН-20-ИЗО качество печати рисунка соответствовало техническим требованиям.

3. В мае месяце сего года проведено опробование маски обращенного ФПН-20-ИЗО при проведении операции локального золочения. Опробование показало, что маска ФПН-20-ИЗО стабильна при локальном золочении с использованием электролита фосфатного типа в течение времени до 10 минут, что позволяет в перспективе использовать данный тип фоторезиста в технологии гальванического золочения полупроводниковых пластин.

В целом можно отметить, что применение фоторезиста ФПН-20-ИЗО в технологических процессах, в которых было заинтересованно наше предприятие, дало положительные результаты.