|
Бурное развитие IT технологий во многом обусловлено высокой эффективностью волоконно-оптических и интегрально- оптических устройств.
В производстве интегрально-оптических устройств ключевое место занимают стандартные
фотолитографические процессы с использованием позитивных фоторезистов:
Предназначен для реализации контактных и проекционных фотолитографических
процессов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.
|
1
|
Внешний вид фоторезиста
|
Жидкость темно-красного цвета
|
|
2
|
Внешний вид пленки фоторезиста
|
Гладкая без радиальных полос
|
|
3
|
Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более
|
0,01 (г-1)
|
0,01 (г-1)
|
0,01 (г-1)
|
0,01 (г-1)
|
|
4
|
Массовая доля воды, в процентах, не более
|
1,0
|
1,0
|
1,0
|
1,0
|
|
5
|
Разрешаюшая способность, мкм, не более
|
0,5
|
0,8
|
1,2
|
1,8
|
|
6
|
Толщина пленки фоторезиста, мкм
|
0,45-0,55
|
1-1,1
|
1,5-1,6
|
2,0-2,1
|
|
7
|
Кинематическая вязкость, сСт
|
6,0-11,0
|
11,0-21,0
|
15,0-35,0
|
21,0-41,0
|
|
8
|
Термостойкость, град.Цельсия
|
140,0
|
140,0
|
140,0
|
140,0
|
|
9
|
Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее
|
25,0
|
30,0
|
30,0
|
30,0
|
|
10
|
Локальная разнотолщинность пленки, нм, не более
|
10
|
10
|
10
|
10
|
|
11
|
Светочувствительность, мдж/см2, не более
|
40
|
50
|
65
|
80
|
|
12
|
Адгезия фоторезиста по 2 мкм. элементу
|
хорошая
|
|
13
|
Проявитель
|
УПФ-1Б
|
|
