Предназначен для реализации
фотолитографических процессов в
производстве фотошаблонов, для
изготовления предварительно очувствленных
заготовок фотошаблонов. Может
использоваться в качестве защитного
светочувствительного материала в фотолитографических процессах
при изготовлении
полупроводниковых приборов, интегральных схем, металлизированных шаблонов,
шкал, сеток, печатных плат и др.
1
|
Внешний вид фоторезиста
|
Жидкость темно-красного цвета без осадка
|
2
|
Внешний вид пленки фоторезиста
|
Гладкая без разрывов
|
3
|
Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек
|
6,0-11,0
|
11,0-21,0
|
4
|
Разрешающая способность, мкм, не более
|
0,5
|
0,8
|
5
|
Толщина пленки фоторезиста, мкм
|
0,5-0,6
|
1,0-1,1
|
6
|
Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее
|
25,0
|
30,0
|
7
|
Рекомендуемый проявитель
|
УПФ-1Б
|
ТУ 2378-012-29135749-2010 на ФП-051Шу в формате PDF
Предназначен для реализации контактных и проекционных фотолитографических
процессов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.
1
|
Внешний вид фоторезиста
|
Жидкость темно-красного цвета
|
2
|
Внешний вид пленки фоторезиста
|
Гладкая без радиальных полос
|
3
|
Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более
|
0,01 (г-1)
|
0,01 (г-1)
|
0,01 (г-1)
|
0,01 (г-1)
|
4
|
Массовая доля воды, в процентах, не более
|
1,0
|
1,0
|
1,0
|
1,0
|
5
|
Разрешаюшая способность, мкм, не более
|
0,5
|
0,8
|
1,2
|
1,8
|
6
|
Толщина пленки фоторезиста, мкм
|
0,45-0,55
|
1-1,1
|
1,5-1,6
|
2,0-2,1
|
7
|
Кинематическая вязкость, сСт
|
6,0-11,0
|
11,0-21,0
|
15,0-35,0
|
21,0-41,0
|
8
|
Термостойкость, град.Цельсия
|
140,0
|
140,0
|
140,0
|
140,0
|
9
|
Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее
|
25,0
|
30,0
|
30,0
|
30,0
|
10
|
Локальная разнотолщинность пленки, нм, не более
|
10
|
10
|
10
|
10
|
11
|
Светочувствительность, мдж/см2, не более
|
40
|
50
|
65
|
80
|
12
|
Адгезия фоторезиста по 2 мкм. элементу
|
хорошая
|
13
|
Проявитель
|
УПФ-1Б
|
ТУ Ф-11833391-0-2006 на ФП-05Ф - ФП-20Ф с изм. 1 в формате PDF
|