|
||||||||||||||
При производстве мощных полупроводниковых приборов, кварцевых генераторов, светодиодов одним из основных элементов топологии является мезаструктура, глубина которой может достигать 50 мкм. В процессе фотолитографии на таких структурах возникает задача защитить мезаструктуру маской фоторезиста. Однако методом центрифугирования такую задачу решить невозможно. На представленной ниже схеме показано неравномерное и неполное покрытие мезаструктуры фоторезистом, в особенности на углах мезы (Рис.1). Неравномерность укрытия фоторезистом обусловлена центробежными силами, возникающими при вращении. Для поверхностей с сильно развитой топологией хорошее покрытие обеспечивает аэрозольное нанесение фоторезиста (Рис. 2). Фоторезист распыляется в потоке воздуха и пленка, равномерно распределяясь по подложке под действием сил гравитации, надёжно укрывает мезаструктуру. . Для реализации аэрозольного метода нанесения необходима специальная марка фоторезиста, аппаратура и оптимизация процесса распыления. Мы предлагаем фоторезист ФП-РН-7Сэ - единственный отечественный фоторезист для аэрозольного распыления. Достоинства:
Упаковка: стеклянная бутылка ёмкостью 1 литр. Техническая документация: ТУ 2378-006-29135749-2007 Демонстрация возможностей фоторезиста ФП-РН-7Сэ на примере изготовления мезы для мощного транзистора. На фото 1 и фото 2 представлена кремниевая подложка с одинаковой топологией - меза 150*150 мкм. закрытая фоторезистом по разной технологии. На фото 1 меза закрыта методом центрифугирования, а на фото 2 - аэрозольным распылением. Хорошо видно, что при центрифугировании фоторезист не удерживается на углах мезаструктуры.
При этом толщина плёнки фоторезиста на ровных участках двух подложек составляет примерно 6,5-7,0 мкм. Реальный профиль мезы хорошо виден на фото 2 и это при том, что она закрыта слоем фоторезиста толщиной около 6 мкм. На фото 3 в большом увеличении показан фрагмент мезаструктуры закрытой фоторезистом, нанесенным распылением. Глубина мезы примерно 150 мкм, ширина около 300. На фото хорошо видна равномерность плёнки фоторезиста на горизонтальной и наклонной поверхностях, а также хорошее укрытие углов мезы.
|
||
|
|||||||||||||
|
||||